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UFS4.1存储芯片高低温老化试验箱
B-T-434D高低温老化试验箱是上海柏毅专为UFS4.1存储芯片研发定制。满足存储芯片巨头客户6层BIB板的同步测试需求，每层可搭载40个被测件，单被测件4W发热量下总热负载可控在960W内，实现多器件批量高效测试。
这款高低温老化试验箱不仅满足了新一代存储芯片的严苛测试要求，更以定制化、高精度、高稳定性的特点，成为存储芯片行业高低温老化测试的样板产品。未来，上海柏毅将继续聚焦半导体领域的测试需求，持续创新技术与产品，为半导体芯片的可靠性验证提供更专业、更高效的环境试验设备支持。
高低温老化试验箱技术参数
类别 | 具体参数 |
产品名称 | 高低温老化试验箱 |
型号 | B-T-434D |
产品用途 | 满足6层BIB板测试，每层40个被测件，单被测件4W发热量，总热负载≤960W |
标称内容积 | 434L |
内箱尺寸 | W700×H1240×D500mm |
外型尺寸 | W2400×H2000×D1500mm |
负载条件 | 1. 负载总质量：定制不锈钢/铝合金托架+6层BIB板+治具，铝30KG、不锈钢23KG、FR4板11.6KG； 2. 负载发热量≤960W； 3. 风速≥8m/s（各层试样空气流动通道中心点平均值） |
温度范围 | -60℃～+150℃ |
温度波动度 | ≤±0.5℃ |
温度偏差 | ≤±2.0℃ |
温度均匀性 | ±3℃（满载），每层老化板支架增设1个采样点 |
升温时间 | 25℃→125℃，≥2℃/min |
降温时间 | 25℃→-45℃，≥1℃/min |
功率/电流 | 功率约22KW，电流55A |
噪音 | ≤68dB(A)（测试点：水平离噪音源1米，高度离地面1米），箱体内加装吸音棉 |
UFS4.1存储芯片高低温老化试验箱
B-T-434D高低温老化试验箱是上海柏毅专为UFS4.1存储芯片研发定制。满足存储芯片巨头客户6层BIB板的同步测试需求，每层可搭载40个被测件，单被测件4W发热量下总热负载可控在960W内，实现多器件批量高效测试。
这款高低温老化试验箱不仅满足了新一代存储芯片的严苛测试要求，更以定制化、高精度、高稳定性的特点，成为存储芯片行业高低温老化测试的样板产品。未来，上海柏毅将继续聚焦半导体领域的测试需求，持续创新技术与产品，为半导体芯片的可靠性验证提供更专业、更高效的环境试验设备支持。
高低温老化试验箱技术参数
类别 | 具体参数 |
产品名称 | 高低温老化试验箱 |
型号 | B-T-434D |
产品用途 | 满足6层BIB板测试，每层40个被测件，单被测件4W发热量，总热负载≤960W |
标称内容积 | 434L |
内箱尺寸 | W700×H1240×D500mm |
外型尺寸 | W2400×H2000×D1500mm |
负载条件 | 1. 负载总质量：定制不锈钢/铝合金托架+6层BIB板+治具，铝30KG、不锈钢23KG、FR4板11.6KG； 2. 负载发热量≤960W； 3. 风速≥8m/s（各层试样空气流动通道中心点平均值） |
温度范围 | -60℃～+150℃ |
温度波动度 | ≤±0.5℃ |
温度偏差 | ≤±2.0℃ |
温度均匀性 | ±3℃（满载），每层老化板支架增设1个采样点 |
升温时间 | 25℃→125℃，≥2℃/min |
降温时间 | 25℃→-45℃，≥1℃/min |
功率/电流 | 功率约22KW，电流55A |
噪音 | ≤68dB(A)（测试点：水平离噪音源1米，高度离地面1米），箱体内加装吸音棉 |
沪ICP备12031864号-4